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MNRバリスタ

NDHサーミスタ

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  • ZRシリーズ

    低圧タイプ

  • ZMシリーズ

    低圧高エネルギー耐用タイプ

  • NSシリーズ

    中高圧タイプ

ZRシリーズ

汎用ディスクタイプZRシリーズは低圧用バリスタとして電子機器、制御機器、一般電子装置をサージやノイズから保護するための素子として最適です。

特徴

  • 電圧非直線性に優れ、制限電圧を低く抑えられる。
  • 電圧・電流特性が対称であるため、正・負両極性のサージに対応でき、交流回路にも使用できる。
  • 小型でサージ耐量が大きく、繰り返しサージに対しても安定である。
  • 放電型保護素子に比べ、応答が速く、続流がない。
  • 温度係数が小さい。
  • 使用電圧範囲が広い。
  • 信頼性が高い。

用途

  • 各種半導体の瞬間的過電圧からの保護
  • 配線、通信線路に誘起する誘導雷サージからの保護
  • リレー等による開閉サージからの保護
  • 電圧安定化用

特性規格表

カタログをご覧ください

ZMシリーズ低圧・高エネルギー耐量タイプ

MNRバイスタは、酸化亜鉛を成分に数種の添加物を加え、十分管理された工程のもとに製造されたセラミック半導体です。優れた電圧非直線とサージ耐量を持ち、サージに対する優れた応答性や低い制限電圧特性を有しており、各種電子機器のサージ対策、誘導性負荷による開閉サージの吸収、異常電圧からの保護用として広い応用範囲を持っております。MNR ZMシリーズは、低電圧化が進むICメモリ、ロジックICなどをサージやノイズなどの異常電圧から防護するために、これまで18Vが下限とされてきたバリスタ電圧を材料組成の検討と製造方法の改善を行うことにより、8Vまで下げ、極めて低い電圧の異常電圧も防ぐことが可能な製品です。

又、ZRシリーズに比べ、大幅なエネルギー耐量の向上が可能になり、自動車のロードダンプサージの吸収にも適しております。

特徴

  • バリスタ電圧が低い。(8V~47V)
  • 繰り返しサージに対しても安定である。
  • 5Vあるいはそれ以下の低圧回路にも使用可能。
  • 応答速度が速い。
  • エネルギー耐量が現行ZRシリーズに比べ約2~5倍。
  • 続流現象がない。
  • 電圧非直線性が優れており、制限電圧を低く抑えられる。
  • 温度係数が小さい。
  • 電圧一電流特性が対称であるため、正・負両極性のサージに対応できる。
  • 信頼性が高い。

用途

  • 各種半導体の瞬間的過電圧からの保護
  • 自動車のロードダンプサージの吸収
  • 配電線路、通信線路に誘起する誘導雷サージからの保護
  • 自動車用電子機器、半導体の過電圧保護
  • リレー等の誘導性負荷による開閉サージからの保護

特性規格表

カタログをご覧ください

NSシリーズ

MNRバリスタは、酸化亜鉛を主成分に数種類の添加物を加え、十分管理された工程のもとに製造されたセラミック半導体です。

優れた電圧非直線性とサージ耐量を持ち、サージに対する優れた応答性や低い制限電圧特性を有しており、各種電子機器のサージ対策、誘導性負荷による開閉サージの吸収、異常電圧からの保護用として広い応用範囲を持っております。

特徴

  • 電圧非直線性が優れており、制限電圧を低く抑えられる。
  • 応答速度が速い。
  • 電圧一電流特性が対称であるため、正、負極性のサージに続流電流がない。
  • 対応できる。又、交流回路にもそのまま使用できる。
  • 温度係数が小さい。
  • 使用電圧範囲が広い。
  • 信頼性が高い。
  • 繰り返しサージに対しても安定である。

用途

  • 各種半導体の瞬間的過電圧からの保護
  • 配電線路、通信線路に誘起する誘導雷サージからの保護
  • リレー等の誘導性負荷による開閉サージからの保護

特性規格表

カタログをご覧ください